这一宣布不仅标志着业界首个3纳米级的制造技术开始量产，而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管的节点...当该公司描述其使用3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，三
站长之家(ChinaZ.com) 4月29日消息:据tom‘s hardware报道，三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周）开始使用其3GAE(早期3nm级栅极全能)制造工艺进行大批量生产。这一宣布不仅标志着业界首个3纳米级的制造技术开始量产，而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管(GAAFET)的节点。
三星大约在三年前正式推出其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，三星表示，该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%。不过，对三星来说，性能和功耗的实际组合将如何发挥，还有待观察。
「这是世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺，将以此提高技术领先地位。」三星在一份声明中写道。
