在 HotChips33 年度会议期间,台积电介绍了该公司最先进的封装技术路线图,并且展示了为下一代小芯片架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。WCCFTech 指出,这
在 HotChips33 年度会议期间,台积电介绍了该公司最先进的封装技能路线图,而且展现了为下一代小芯片架构和内存规划做好预备的最新一代 CoWoS 解决计划。WCCFTech 指出,这家业界抢先的半导体巨子在先进芯片封装技能方面取得了快速发展。曩昔十年,该公司现已推出五代不同的基板上芯片封装工艺,且涵盖了消费级与服务器芯片范畴。
估计 TSMC 将于本年晚些时候宣告第 5 代 CoWoS 封装技能,其有望将晶体管数量翻至第 3 代封装解决计划的 20 倍。
新封装将添加 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 仓库(容量高达 128 GB)、全新的硅通孔(TSV)解决计划、厚 CU 互连、以及新的 TIM(Lid 封装)计划。
其间最让咱们重视的,莫过于运用 TSMC 第 5 代 CoWoS 封装工艺的 AMD MI200“Aldebaran”GPU 。
作为 AMD 首款多芯片(MCM)规划的 GPU,其选用了 CDNA 2 中心架构,估计可完成一些张狂的标准参数。
WCCFTech 指出,AMD“Aldebaran”GPU 或具有超越 16000 个内核、以及高达 128GB 的 HBM2E 内存容量。
此外英伟达的 Hopper GPU 竞品也运用了 MCM 小芯片架构,且相同或许交由 TSMC 代工。
至于第 5 代 CoWoS 封装技能可以为英伟达 Hopper GPU 带来怎样的惊喜,还请耐性比及 2022 年揭晓。
接着,TSMC 将升级到第 6 代 CoWoS 封装工艺,特点是可以集成更多的小芯片和 DRAM 内存。
TSMC 没有敲定第 6 代 CoWoS 的终究工艺,但估计可在同一封装内包容多达 8 组 HBM3 内存和 2 组核算小芯片。
TSMC 还将以 Metal Tim 的方式,供给最新的 SOC 散热解决计划。
与初代 Gel Tim 计划比较,Metal Tim 有望将封装热阻降低到前者的 0.15 倍。
最终,AMD CNDA 3(MI300)和英伟达 Ampere 的下下一代,都有望选用 TSMC 的 N3 工艺节点进行制作。
知优网 » 台积电发布先进CoWoS封装技能路线图 2023年结合小芯片与HBM3